AOB292L 与 IPB042N10N3 G 区别
| 型号 | AOB292L | IPB042N10N3 G | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-AOB292L | A-IPB042N10N3 G | ||||||||
| 制造商 | AOS | Infineon Technologies | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | 系列:OptiMOS™ MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3 | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| Crss(pF) | 32 | - | ||||||||
| Td(off)(ns) | 48 | - | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 4.1mΩ@20A,10V | 4.2mΩ@50A,10V | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 300W | 214W(Tc) | ||||||||
| Qrr(nC) | 380 | - | ||||||||
| VGS(th) | 3.4 | - | ||||||||
| Qgd(nC) | 13.5 | - | ||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||
| Td(on)(ns) | 20 | - | ||||||||
| 封装/外壳 | TO-263 | PG-TO263-3 | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 105A | 100A(Tc) | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~175°C | -55°C~175°C(TJ) | ||||||||
| Ciss(pF) | 6775 | - | ||||||||
| 系列 | - | OptiMOS™ | ||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 6V,10V | ||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 3.5V @ 150µA | ||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 8410pF @ 50V | ||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 117nC @ 10V | ||||||||
| Trr(ns) | 50 | - | ||||||||
| Coss(pF) | 557 | - | ||||||||
| Qg*(nC) | 90* | - | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 749 | 1,000 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 3 - 5天 | ||||||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AOB292L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263 N-Channel 100V ±20V 105A 300W 4.1mΩ@20A,10V -55°C~175°C |
￥14.6939
|
749 | 当前型号 | ||||||||||
|
IPB042N10N3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 100V 100A(Tc) ±20V 214W(Tc) 4.2mΩ@50A,10V -55°C~175°C(TJ) PG-TO263-3 |
暂无价格 | 1,000 | 对比 | ||||||||||
|
|
IRFS4010TRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 375W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4.7mΩ@106A,10V N-Channel 100V 180A D2PAK |
暂无价格 | 800 | 对比 | ||||||||||
|
BUK765R0-100E,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 349W -55°C~175°C ±20V 100V 120A |
暂无价格 | 600 | 对比 | ||||||||||
|
|
PSMN4R8-100BSEJ | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 405W 175°C 3V 100V 120A |
暂无价格 | 30 | 对比 | ||||||||||
|
|
IRF100S201 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 441W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4.2mΩ@115A,10V N-Channel 100V 192A TO-263AB |
暂无价格 | 10 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
